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首页 全部分类 EMF9T2R vs BF771E6327HTSA1

EMF9T2R备选型号: BF771E6327HTSA1

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  • 操作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 频率
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 增益
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 噪音数字(分贝类型@ f)
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    EMF9T2R
    ROHM Semiconductor
    TRANS DUAL BIP MOS EMT6
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    12V
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    锡铜
    150°C
    -55°C
    通用型
    500mA NPN 100mA N Channel
    150mW
    FLAT
    260
    10
    6
    100mA
    NPN, PNP
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    12V
    SWITCHING
    NPN, N-Channel
    0.1A
    8Ohm
    320MHz
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    0.5A
    270
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BF771E6327HTSA1
    Infineon Technologies
    RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    12V
    Tape & Reel (TR)
    2007
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    80mA
    580mW
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    AMPLIFIER
    NPN
    -
    -
    8000MHz
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    150°C TJ
    12V
    DUAL
    8GHz
    不合格
    SINGLE
    580mW
    NPN
    12V
    80mA
    70 @ 30mA 8V
    10dB ~ 15dB
    20V
    2V
    1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    无铅
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BF771E6327HTSA1 BF771E6327HTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 对比