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首页 全部分类 EPC2014C vs FDD4141

EPC2014C备选型号: FDD4141

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  • 终止次数
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  • 电阻
  • 终端形式
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • EPC
    EPC2014C
    EPC
    GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die Outline (5-Solder Bar)
    10A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    N-Channel
    16mOhm @ 10A, 5V
    2.5V @ 2mA
    300pF @ 20V
    2.5nC @ 5V
    40V
    +6V, -4V
    10A
    300pF
    16 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD4141
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDD4141 - Power MOSFET, P Channel, 40 V, 10.8 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    10.8A Ta 50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    P-Channel
    12.3m Ω @ 12.7A, 10V
    3V @ 250μA
    2775pF @ 20V
    50nC @ 10V
    40V
    ±20V
    10.8A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 6 hours ago)
    Tin
    3
    260.37mg
    SILICON
    e3
    yes
    2
    EAR99
    12.3MOhm
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.4W
    DRAIN
    10 ns
    SWITCHING
    7ns
    15 ns
    -1.8V
    TO-252AA
    20V
    50A
    -40V
    150°C
    -1.8 V
    2.517mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    无铅
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