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首页 全部分类 EPC2021 vs FDB86363-F085

EPC2021备选型号: FDB86363-F085

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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 下降时间（典型值）
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • EPC
    EPC2021
    EPC
    GANFET TRANS 80V 90A BUMPED DIE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    90A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    N-Channel
    2.5mOhm @ 29A, 5V
    2.5V @ 14mA
    1650pF @ 40V
    15nC @ 5V
    80V
    +6V, -4V
    90A
    1.65nF
    2.5 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB86363-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    2.4m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    10000pF @ 40V
    150nC @ 10V
    -
    ±20V
    110A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
    1.31247g
    SILICON
    e3
    yes
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    260
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    38 ns
    SWITCHING
    129ns
    40 ns
    20V
    0.0024Ohm
    80V
    无铅
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