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首页 全部分类 EPC8010 vs DMHC10H170SFJ-13

EPC8010备选型号: DMHC10H170SFJ-13

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  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
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  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 高度
  • EPC
    EPC8010
    EPC
    GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Die
    Die
    2.7A Ta
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    eGaN®
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    N-Channel
    160mOhm @ 500mA, 5V
    2.5V @ 250μA
    55pF @ 50V
    0.48nC @ 5V
    100V
    +6V, -4V
    2.7A
    55pF
    160 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMHC10H170SFJ-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    12-VDFN Exposed Pad
    -
    2.9A 2.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
    160m Ω @ 5A, 10V
    3V @ 250μA
    1167pF @ 25V
    9.7nC @ 10V
    -
    -
    2.3A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    e3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    2.1W
    未说明
    未说明
    4
    2.1W
    20V
    100V
    150°C
    Standard
    850μm
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMHC10H170SFJ-13 DMHC10H170SFJ-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 12-VDFN Exposed Pad MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12 对比
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-UDFN Exposed Pad MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN 对比