FCD5N60TM备选型号: STD6NK50ZT4
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- Trans MOSFET N-CH 600V 4.6A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/RACTIVE (Last Updated: 4 days ago)14 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON4.6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperFET™2014e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99950MOhmTin (Sn)600V鸥翼4.6AFCD5N60R-PSSO-G2Single增强型MOSFET54WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING950m Ω @ 2.3A, 10V5V @ 250μA600pF @ 25V16nC @ 10V40ns±30V22 ns4.6A5V30V600V2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
- Trans MOSFET N-CH 500V 5.6A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R--表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-SILICON5.6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH™-e3-不用于新设计1 (Unlimited)2EAR991.2OhmMatte Tin (Sn) - annealed500V鸥翼5.6ASTD6NR-PSSO-G2Single增强型MOSFET90W-12 nsN-ChannelSWITCHING1.2 Ω @ 2.8A, 10V4.5V @ 50μA690pF @ 25V24.6nC @ 10V23.5ns±30V23 ns5.6A3.75V30V500V2.4mm6.6mm6.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅26030322.4A3.75 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FCD4N60TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 3.9 A, 1.2 O, DPAK | 对比 |
![]() | STD5N52K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | STMICROELECTRONICS STD5N52K3 MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 525 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V | 对比 |





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