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首页 全部分类 FCP067N65S3 vs IPP65R110CFDXKSA1

FCP067N65S3备选型号: IPP65R110CFDXKSA1

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  • 阈值电压
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  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FCP067N65S3
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP067N65S3 Power MOSFET, SuperFET III, N Channel, 44 A, 650 V, 0.059 ohm, 10 V, 4.5 V
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    44A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® III
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    Single
    N-Channel
    67m Ω @ 22A, 10V
    4.5V @ 4.4mA
    3090pF @ 400V
    78nC @ 10V
    650V
    ±30V
    44A
    4.5V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP65R110CFDXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220
    -
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    -
    31.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    N-Channel
    110m Ω @ 12.7A, 10V
    4.5V @ 1.3mA
    3240pF @ 100V
    118nC @ 10V
    700V
    ±20V
    31.2A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2008
    3
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    16 ns
    SWITCHING
    无卤素
    11ns
    6 ns
    TO-220AB
    20V
    650V
    99.6A
    845 mJ
    无铅
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