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首页 全部分类 FCP20N60 vs FCP165N60E

FCP20N60备选型号: FCP165N60E

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  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 最小工作温度
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  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    FCP20N60
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Channel SuperFET
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET™
    2013
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    190MOhm
    Tin (Sn)
    600V
    20A
    Single
    增强型MOSFET
    208W
    62 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 10A, 10V
    5V @ 250μA
    3080pF @ 25V
    98nC @ 10V
    140ns
    ±30V
    65 ns
    20A
    5V
    TO-220AB
    30V
    600V
    60A
    690 mJ
    5 V
    16.3mm
    10.67mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCP165N60E
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP165N60E MOSFET Transistor, N Channel, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 VNew
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    12 Weeks
    通孔
    -
    TO-220
    3
    1.8g
    -
    -
    -
    Tube
    -
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    23A
    3.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    150°C
    -55°C
    8541.29.00.95
    227W
    未说明
    未说明
    600V
    2.434nF
    132mOhm
    165 mΩ
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