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首页 全部分类 FD1000R33HE3KBPSA1 vs FF600R12ME4BOSA1

FD1000R33HE3KBPSA1备选型号: FF600R12ME4BOSA1

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  • 元素配置
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  • 晶体管应用
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  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • Infineon Technologies
    FD1000R33HE3KBPSA1
    Infineon Technologies
    Trans IGBT Module N-CH 3.3KV 1000A 9-pin IHVB190-3
    12 Weeks
    Module
    底座安装
    Screw
    9
    SILICON
    2
    2002
    -40°C~150°C
    活跃
    不适用
    9
    UPPER
    UNSPECIFIED
    双制动斩波器
    Dual
    ISOLATED
    11500W
    电源控制
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    3.3kV
    1kA
    5mA
    3300V
    1150 ns
    3.1V @ 15V, 1000A
    3550 ns
    沟渠现场停车
    无
    190nF @ 25V
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FF600R12ME4BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 600V 600A
    52 Weeks
    Module
    底座安装
    Screw
    11
    SILICON
    2
    2002
    -40°C~150°C
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    7
    UPPER
    UNSPECIFIED
    2 Independent
    Dual
    ISOLATED
    4050W
    电源控制
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    600A
    3mA
    1200V
    310 ns
    2.1V @ 15V, 600A
    770 ns
    沟渠现场停车
    有
    37nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    2.1V
    no
    EAR99
    未说明
    未说明
    11
    R-XUFM-X7
    不合格
    4.05kW
    20V
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