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首页 全部分类 FD1200R17KE3KNOSA1 vs FF1200R17KE3NOSA1

FD1200R17KE3KNOSA1备选型号: FF1200R17KE3NOSA1

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  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 无铅代码
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • Infineon Technologies
    FD1200R17KE3KNOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MOD 1700V 1600A 5950W
    Screw
    底座安装
    Module
    130
    SILICON
    1600A
    -40°C~125°C
    2002
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    R-XUFM-X7
    双制动斩波器
    ISOLATED
    5950W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.7kV
    1.6kA
    5mA
    1700V
    1050 ns
    2.45V @ 15V, 1200A
    2100 ns
    无
    110nF @ 25V
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FF1200R17KE3NOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 1700V 1200A
    Screw
    底座安装
    Module
    10
    SILICON
    1.7kV
    -40°C~125°C
    2002
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    10
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    -
    单斩波器
    ISOLATED
    595000W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.7kV
    1.6kA
    5mA
    1700V
    1050 ns
    2.45V @ 15V, 1200A
    2100 ns
    无
    110nF @ 25V
    符合RoHS标准
    含铅
    12 Weeks
    2V
    no
    10
    Dual
    5.95kW
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