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FDA59N30备选型号: IRFB4332PBF
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- 安装类型
- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
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- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 通道数量
- 箱体转运
- JEDEC-95代码
- 双电源电压
- 恢复时间
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 300V 59A TO-3PACTIVE (Last Updated: 4 days ago)7 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-336.401gSILICON59A Tc-55°C~150°C TJTubeUniFET™2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR9956MOhmTin (Sn)快速切换Single增强型MOSFET500W140 nsN-ChannelSWITCHING56m Ω @ 29.5A, 10V5V @ 250μA4670pF @ 25V100nC @ 10V575ns±30V200 ns59A5V30V300V5 V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------
MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB-12 Weeks通孔通孔TO-220-33-SILICON60A Tc-40°C~175°C TJTubeHEXFET®2008--活跃1 (Unlimited)3EAR9933MOhm--Single增强型MOSFET390W-N-ChannelSWITCHING33m Ω @ 35A, 10V5V @ 250μA5860pF @ 25V150nC @ 10V-±30V-60A5V30V250V5 V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅通孔250V60A1DRAINTO-220AB250V290 ns175°C19.8mm10.66mm4.82mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDA59N25 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P | 对比 |
| FDA69N25 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET 250V N-Channel MOSFET | 对比 |
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