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FDB031N08备选型号: FDB024N06

FDB031N08

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
8 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
1.762g
SILICON
120A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
PowerTrench®
e3
yes
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
3.1MOhm
Tin (Sn)
鸥翼
R-PSSO-G2
Single
增强型MOSFET
375W
DRAIN
230 ns
N-Channel
SWITCHING
3.1m Ω @ 75A, 10V
4.5V @ 250μA
15160pF @ 25V
220nC @ 10V
191ns
±20V
121 ns
235A
20V
75V
940A
4.83mm
10.67mm
11.33mm
无
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
-
FDB024N06

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
8 Weeks
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
1.762g
SILICON
120A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
PowerTrench®
e3
yes
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
2.4MOhm
Tin (Sn)
鸥翼
R-PSSO-G2
Single
增强型MOSFET
395W
DRAIN
134 ns
N-Channel
SWITCHING
2.4m Ω @ 75A, 10V
4.5V @ 250μA
14885pF @ 25V
226nC @ 10V
324ns
±20V
250 ns
265A
20V
60V
-
4.83mm
10.67mm
9.65mm
无
ROHS3 Compliant
无铅
2013
3.5V
无SVHC
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