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FDB035AN06A0备选型号: FDB070AN06A0

FDB035AN06A0

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
8 Weeks
Tin
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
1.31247g
SILICON
22A Ta 80A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
PowerTrench®
2002
e3
yes
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
3.5MOhm
60V
鸥翼
80A
R-PSSO-G2
Single
增强型MOSFET
310W
DRAIN
15 ns
N-Channel
SWITCHING
3.5m Ω @ 80A, 10V
4V @ 250μA
6400pF @ 25V
124nC @ 10V
93ns
±20V
13 ns
80A
4V
20V
22A
60V
625 mJ
4.83mm
10.67mm
11.33mm
无SVHC
无
ROHS3 Compliant
无铅
-
-
-
-
FDB070AN06A0

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
8 Weeks
-
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
1.31247g
SILICON
15A Ta 80A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
PowerTrench®
2003
e3
yes
活跃
1 (Unlimited)
2
EAR99
7MOhm
60V
鸥翼
80A
R-PSSO-G2
Single
增强型MOSFET
175W
DRAIN
12 ns
N-Channel
SWITCHING
7m Ω @ 80A, 10V
4V @ 250μA
3000pF @ 25V
66nC @ 10V
159ns
±20V
35 ns
80A
4V
20V
-
60V
-
4.83mm
10.67mm
11.33mm
无SVHC
无
ROHS3 Compliant
无铅
SMD/SMT
Tin (Sn)
60V
4 V
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	IPB037N06N3GATMA1	Infineon Technologies	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-263	对比