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FDB050AN06A0备选型号: IRF1405ZSPBF
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- JESD-609代码
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- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
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- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
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- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
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- 附加功能
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
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Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 4 days ago)9 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON18A Ta 80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2013e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR995MOhm60V鸥翼80AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET245WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING5m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA3900pF @ 25V80nC @ 10V160ns±20V29 ns80A20V60V470 mJ4.83mm10.67mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅--------
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK---表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-SILICON1-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2003e3-Discontinued1 (Unlimited)2EAR994.9MOhm-鸥翼-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET230WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING4.9m Ω @ 75A, 10V4V @ 250μA4780pF @ 25V180nC @ 10V110ns±20V82 ns75A20V55V420 mJ4.826mm10.668mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE260304V600A4 V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTB75N06G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | 对比 |
| IRF1010ESTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK | 对比 |
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