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首页 全部分类 FDB3502 vs IRFZ34NSTRLPBF

FDB3502备选型号: IRFZ34NSTRLPBF

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  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 终端
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDB3502
    ON Semiconductor
    MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    1.31247g
    SILICON
    6A Ta 14A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    47MOhm
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    47m Ω @ 6A, 10V
    4.5V @ 250μA
    815pF @ 40V
    15nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    3 ns
    6A
    20V
    6A
    75V
    40A
    54 mJ
    4.83mm
    10.67mm
    11.33mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFZ34NSTRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    SILICON
    29A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    40mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    68W
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    700pF @ 25V
    34nC @ 10V
    49ns
    ±20V
    40 ns
    29A
    20V
    -
    55V
    -
    -
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    3
    SMD/SMT
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    55V
    260
    29A
    30
    4V
    55V
    86 ns
    4 V
    无SVHC
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FQB30N06LTM FQB30N06LTM ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R 对比