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FDB3652备选型号: HUF75645S3ST
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- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 端子表面处理
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RACTIVE, NOT REC (Last Updated: 20 hours ago)36 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON9A Ta 61A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes不用于新设计1 (Unlimited)2EAR9916MOhm100V鸥翼26061A30R-PSSO-G2Single增强型MOSFET150WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING16m Ω @ 61A, 10V4V @ 250μA2880pF @ 25V53nC @ 10V85ns±20V45 ns61A4V20V9A100V4 V6.35mm6.35mm6.35mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--- MOSFET N-CH 100V 75A D2PAKACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 Weeks-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR9914mOhm100V鸥翼-75A-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET310WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING14m Ω @ 75A, 10V4V @ 250μA3790pF @ 25V238nC @ 20V117ns±20V97 ns75mA4V20V-100V4 V11.33mm10.67mm4.83mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅2002Tin (Sn)
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFS4610PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK | 对比 |
| IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | 对比 |
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK | 对比 |
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