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FDB6021P备选型号: IPB26CN10NGATMA1
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- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3TO-263AB28A Ta-65°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2004Obsolete1 (Unlimited)175°C-65°C-20V-28ASingle37WP-Channel30mOhm @ 14A, 4.5V1.5V @ 250μA1890pF @ 10V28nC @ 4.5V10ns20V±8V50 ns-28A8V-20V1.89nF30mOhm30 mΩ符合RoHS标准无铅----------------------
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2 Tab) TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-35A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011Obsolete1 (Unlimited)------N-Channel26m Ω @ 35A, 10V4V @ 39μA2070pF @ 50V31nC @ 10V-100V±20V-35A-----符合RoHS标准-SILICONe3yes2EAR99哑光锡SINGLE鸥翼260unknown404R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING0.026Ohm140A100V65 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF540ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK | 对比 |
| AUIRF540ZSTRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK | 对比 |
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