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首页 全部分类 FDB8443 vs IRF1404ZSTRLPBF

FDB8443备选型号: IRF1404ZSTRLPBF

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  • 已出版
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 阈值电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDB8443
    ON Semiconductor
    MOSFET 40V N-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.31247g
    SILICON
    25A Ta 120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    188W
    DRAIN
    18.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    9310pF @ 25V
    185nC @ 10V
    17.9ns
    ±20V
    13.5 ns
    25A
    20V
    80A
    40V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1404ZSTRLPBF
    Infineon Technologies
    In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 190 A, 40 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRF1404ZSPBF
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    鸥翼
    260
    -
    30
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.7m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 150μA
    4340pF @ 25V
    150nC @ 10V
    110ns
    ±20V
    58 ns
    190A
    20V
    -
    40V
    ROHS3 Compliant
    2003
    3.7MOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
    40V
    75A
    4V
    42 ns
    4 V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    含铅
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