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FDB86366-F085备选型号: IPB120N08S404ATMA1
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- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 80V 110A TO263ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)13 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.31247g110A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)Tin (Sn)260not_compliant未说明SingleN-Channel3.6m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA6280pF @ 40V112nC @ 10V80V±20V110AROHS3 Compliant---------------
Mosfet N-channel 75/80V-14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-yes活跃1 (Unlimited)-未说明-未说明-N-Channel4.1m Ω @ 100A, 10V4V @ 120μA6450pF @ 25V95nC @ 10V-±20V120AROHS3 CompliantSILICON20132SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN无卤素80V0.0041Ohm480A310 mJ含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB86566-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK | 对比 |
| AUIRFS3206 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK | 对比 |
| IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | 对比 |
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