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首页 全部分类 FDB86566-F085 vs AUIRFS3206

FDB86566-F085备选型号: AUIRFS3206

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDB86566-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    1.31247g
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    Single
    N-Channel
    2.7m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    6655pF @ 30V
    110nC @ 10V
    60V
    ±20V
    110A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFS3206
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    e3
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    260
    -
    30
    Single
    N-Channel
    3m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 150μA
    6540pF @ 50V
    170nC @ 10V
    -
    ±20V
    120A
    ROHS3 Compliant
    Tin
    3
    SILICON
    2011
    2
    EAR99
    AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    19 ns
    SWITCHING
    82ns
    83 ns
    2V
    20V
    60V
    840A
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
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IPB120N06S4H1ATMA2 IPB120N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 对比