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FDB8870备选型号: IRL3803STRLPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 已出版
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 1 day ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON23A Ta 160A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)30V鸥翼160AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET160WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING3.9m Ω @ 35A, 10V2.5V @ 250μA5200pF @ 15V132nC @ 10V98ns±20V47 ns35A20V0.0044Ohm30V无ROHS3 Compliant无铅----------------
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-SILICON140A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3-活跃1 (Unlimited)2EAR99-30V鸥翼140AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET200WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING6m Ω @ 71A, 10V1V @ 250μA5000pF @ 25V140nC @ 4.5V230ns±16V35 ns140A16V-30V无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead FreeTin2002SMD/SMT6mOhmAVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE260301V470A30V180 ns1 V4.826mm10.668mm9.65mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRL7833STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | 对比 |
| FDB8870-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 30V 160A 3.9Mohm N-CH POWERTRENCH | 对比 |
| IRF3709STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK | 对比 |
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