FDBL86566-F085备选型号: IRLS3036TRLPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- Reach合规守则
- 元素配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 60V 240A MO299AACTIVE (Last Updated: 1 day ago)16 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerSFN8850.0521mg240A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®yes活跃1 (Unlimited)not_compliantSingleN-Channel2.4m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA6655pF @ 30V110nC @ 10V60V±20V240AROHS3 Compliant-----------------------------
- MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-195A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®-活跃1 (Unlimited)-SingleN-Channel2.4m Ω @ 165A, 10V2.5V @ 250μA11210pF @ 50V140nC @ 4.5V-±16V270AROHS3 CompliantTinSILICON2005e32EAR991.9MOhm鸥翼26030R-PSSO-G2增强型MOSFET380WDRAIN66 nsSWITCHING220ns110 ns2.5V16V60V290 mJ2.5 V4.826mm10.668mm9.652mm无SVHC无无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDB024N06 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 对比 |
![]() | AUIRFS3006-7P | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 60V 293A D2PAK-7P | 对比 |
![]() | IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | 对比 |






哦! 它是空的。