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首页 全部分类 FDC638APZ vs IRLMS6802TRPBF

FDC638APZ备选型号: IRLMS6802TRPBF

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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDC638APZ
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDC638APZ - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.5 A, 0.037 ohm, SuperSOT, Surface Mount
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    4.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    43MOhm
    -12V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    -4.5A
    未说明
    不合格
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    6 ns
    P-Channel
    43m Ω @ 4.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1000pF @ 10V
    12nC @ 4.5V
    20ns
    20V
    ±12V
    20 ns
    -4.5A
    -800mV
    12V
    -20V
    20A
    -20V
    150°C
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLMS6802TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    -
    SILICON
    5.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    EAR99
    100mOhm
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -5.6A
    30
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    12 ns
    P-Channel
    50m Ω @ 5.1A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1079pF @ 10V
    16nC @ 5V
    33ns
    20V
    ±12V
    72 ns
    -5.6A
    -
    12V
    -20V
    45A
    -20V
    -
    1.4478mm
    2.9972mm
    1.75mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
    -1.2 V
    无
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