FDD16AN08A0-F085备选型号: IRFR2307ZTRLPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 已出版
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 阈值电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 75V 50A DPAKACTIVE (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON9A Ta 50A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, UltraFET™e3yes活跃1 (Unlimited)2Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET135WDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING16m Ω @ 50A, 10V4V @ 250μA1874pF @ 25V47nC @ 10V54ns±20V22 ns50ATO-252AA20V9A75V95 mJ无ROHS3 Compliant-------------------
- Mosfet Transistor, N Channel, 42 A, 75 V, 0.0128 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-SILICON42A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3-活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET110WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING16m Ω @ 32A, 10V4V @ 100μA2190pF @ 25V75nC @ 10V65ns±20V29 ns42ATO-252AA20V-75V-无ROHS3 Compliant12 Weeks2010SMD/SMTEAR9916MOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE75V26042A304V75V47 ns4 V2.3876mm6.7056mm6.22mm无SVHCContains Lead, Lead Free
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD13AN06A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R | 对比 |
![]() | IRFR2405PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 55V 56A DPAK | 对比 |



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