FDD4243备选型号: FDD4685

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 基本部件号
  • 箱体转运
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 6 hours ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    6.7A Ta 14A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    44MOhm
    Tin (Sn)
    -40V
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    -14A
    未说明
    R-XSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    42W
    6 ns
    P-Channel
    44m Ω @ 6.7A, 10V
    3V @ 250μA
    1550pF @ 20V
    29nC @ 10V
    15ns
    40V
    ±20V
    7 ns
    -6.7A
    -1.6V
    20V
    -40V
    60A
    -40V
    84 mJ
    -1.6 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDD4685 - MOSFET Transistor, P Channel, 8.4 mA, -40 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.6 V
    ACTIVE (Last Updated: 7 hours ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    8.4A Ta 32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    27MOhm
    -
    -40V
    鸥翼
    -
    -
    -8.4A
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    69W
    8 ns
    P-Channel
    27m Ω @ 8.4A, 10V
    3V @ 250μA
    2380pF @ 20V
    27nC @ 5V
    15ns
    40V
    ±20V
    14 ns
    8.4mA
    -1.6V
    20V
    -40V
    -
    -40V
    -
    -1.6 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    FDD4685
    DRAIN
    40A
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