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首页 全部分类 FDD6637 vs FDD6635

FDD6637备选型号: FDD6635

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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • ON Semiconductor
    FDD6637
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDD6637 - Power MOSFET, P Channel, 35 V, 13 A, 0.0097 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    13A Ta 55A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    11.6MOhm
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    1.3W
    DRAIN
    18 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    11.6m Ω @ 14A, 10V
    3V @ 250μA
    2370pF @ 20V
    63nC @ 10V
    10ns
    35V
    ±25V
    36 ns
    -13A
    -1.6V
    25V
    55A
    -35V
    150°C
    -1.6 V
    2.517mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    FDD6635
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 35V 15A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    15A Ta 59A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    55W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    1400pF @ 20V
    36nC @ 10V
    6ns
    -
    ±20V
    14 ns
    59A
    -
    20V
    -
    35V
    -
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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