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首页 全部分类 FDD7N60NZTM vs STD6NK50ZT4

FDD7N60NZTM备选型号: STD6NK50ZT4

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  • 晶体管应用
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  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDD7N60NZTM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-Channel 600V 5.5A
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    5.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UniFET-II™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    90W
    DRAIN
    17.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.25 Ω @ 2.75A, 10V
    5V @ 250μA
    730pF @ 25V
    17nC @ 10V
    ±25V
    5.5A
    TO-252AA
    25V
    600V
    22A
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD6NK50ZT4
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 500V 5.6A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    5.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH™
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    鸥翼
    260
    -
    30
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    90W
    -
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2 Ω @ 2.8A, 10V
    4.5V @ 50μA
    690pF @ 25V
    24.6nC @ 10V
    ±30V
    5.6A
    -
    30V
    500V
    22.4A
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.2Ohm
    500V
    5.6A
    STD6N
    3
    23.5ns
    23 ns
    3.75V
    3.75 V
    无SVHC
    无
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