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首页 全部分类 FDD8647L vs FDD4243-F085

FDD8647L备选型号: FDD4243-F085

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  • 功率耗散
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDD8647L
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    14A Ta 42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    13MOhm
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 13A, 10V
    3V @ 250μA
    1640pF @ 20V
    28nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    2 ns
    14A
    2V
    20V
    52A
    40V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD4243-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    6.7A Ta 14A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    6 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    44m Ω @ 6.7A, 10V
    3V @ 250μA
    1550pF @ 20V
    29nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    7 ns
    14A
    -
    20V
    24A
    -40V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    40V
    0.044Ohm
    84 mJ
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