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首页 全部分类 FDFS6N548 vs IRF9362TRPBF

FDFS6N548备选型号: IRF9362TRPBF

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
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  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • ON Semiconductor
    FDFS6N548
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    187mg
    SILICON
    7A Ta
    2.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    23MOhm
    Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    6 ns
    2mA
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 7A, 10V
    700pF @ 15V
    13nC @ 10V
    2ns
    ±20V
    450mV
    2 ns
    7A
    20V
    7A
    30V
    30A
    30V
    Schottky Diode (Isolated)
    1.8 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9362TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    8A
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    21MOhm
    Matte Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    5.2 ns
    -
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    21m Ω @ 8A, 10V
    1300pF @ 25V
    39nC @ 10V
    5.9ns
    -
    -
    53 ns
    -8A
    20V
    8A
    -30V
    64A
    -
    逻辑电平门
    -1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2W
    IRF9362PBF
    2.4V @ 25μA
    30V
    -1.8V
    94 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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