FDG6321C备选型号: FDG6303N
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 最大结点温度(Tj)
- 场效应管特性
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 接通延迟时间
- 双电源电压
- 栅源电压
- 长度
- 宽度
- Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-70 T/RACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363628mgSILICON500mA 410mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2017e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99450mOhm逻辑电平兼容300mW鸥翼500mADual增强型MOSFET300mWN and P-ChannelSWITCHING450m Ω @ 500mA, 4.5V1.5V @ 250μA50pF @ 10V2.3nC @ 4.5V8nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL8 ns500mA800mV8V0.5A25VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门1.1mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
- MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363628mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1999e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99450mOhm逻辑电平兼容300mW鸥翼500mADual增强型MOSFET300mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING450m Ω @ 500mA, 4.5V1.5V @ 250μA50pF @ 10V2.3nC @ 4.5V8.5ns-8.5 ns500mA800mV8V0.5A25VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR-逻辑电平门1mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SMD/SMT25V3 ns25V800 mV2mm1.25mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDG6322C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Trans Mosfet N/p-ch 25V 0.22A/0.41A 6-PIN SC-70 T/r | 对比 |



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