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首页 全部分类 FDG6322C vs FDG6303N

FDG6322C备选型号: FDG6303N

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  • 场效应管类型
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  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 终端
  • 电压 - 额定直流
  • 接通延迟时间
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 双电源电压
  • ON Semiconductor
    FDG6322C
    ON Semiconductor
    Trans Mosfet N/p-ch 25V 0.22A/0.41A 6-PIN SC-70 T/r
    10 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    表面贴装
    表面贴装
    6
    28mg
    SILICON
    220mA 410mA
    2017
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    4Ohm
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    300mW
    鸥翼
    220mA
    Dual
    增强型MOSFET
    300mW
    N and P-Channel
    SWITCHING
    4 Ω @ 220mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    9.5pF @ 10V
    0.4nC @ 4.5V
    8ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    8 ns
    220mA
    850mV
    8V
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    850 mV
    1.25mm
    2mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDG6303N
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
    10 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    表面贴装
    表面贴装
    6
    28mg
    SILICON
    2
    1999
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    450mOhm
    -
    逻辑电平兼容
    300mW
    鸥翼
    500mA
    Dual
    增强型MOSFET
    300mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    450m Ω @ 500mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    50pF @ 10V
    2.3nC @ 4.5V
    8.5ns
    -
    8.5 ns
    500mA
    800mV
    8V
    25V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    800 mV
    1.25mm
    2mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    Tin
    SMD/SMT
    25V
    3 ns
    0.5A
    25V
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDG6321C FDG6321C ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R 对比