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首页 全部分类 FDMA430NZ vs IRF7313TRPBF

FDMA430NZ备选型号: IRF7313TRPBF

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  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 已出版
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 行间距
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    FDMA430NZ
    ON Semiconductor
    N CH MOSFET, 30V, 5A, MICROFET 2X2
    16 Weeks
    Gold
    6-VDFN Exposed Pad
    表面贴装
    表面贴装
    6
    30mg
    SILICON
    5A Ta
    1.5V @ 250μA
    PowerTrench®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    40MOhm
    DUAL
    1
    Single
    增强型MOSFET
    900mW
    DRAIN
    8.3 ns
    N-Channel
    40m Ω @ 5A, 4.5V
    800pF @ 10V
    11nC @ 4.5V
    7.1ns
    ±12V
    7.1 ns
    5A
    810mV
    12V
    5A
    30V
    20A
    30V
    150°C
    810 mV
    825μm
    2mm
    2mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7313TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
    12 Weeks
    Tin
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    SILICON
    2
    -
    HEXFET®
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    29mOhm
    -
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    -
    8.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    29m Ω @ 5.8A, 10V
    650pF @ 25V
    33nC @ 10V
    8.9ns
    -
    17 ns
    6.5A
    1V
    20V
    -
    30V
    30A
    30V
    150°C
    1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    4.05mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    2002
    HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED
    30V
    2W
    鸥翼
    6.5A
    IRF7313PBF
    6.3 mm
    SWITCHING
    1V @ 250μA
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    68 ns
    Standard
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