FDMA520PZ备选型号: FDMA510PZ
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- 晶体管元件材料
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- 终端
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- 电压 - 额定直流
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- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
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- 已出版
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 辐射硬化
- MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFETACTIVE (Last Updated: 4 days ago)16 Weeks表面贴装表面贴装6-VDFN Exposed Pad630mgSILICON7.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e4yes活跃1 (Unlimited)6SMD/SMTEAR9930MOhmNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)-20VDUAL无铅未说明-7.3A未说明不合格Single增强型MOSFET2.4W10 nsP-Channel30m Ω @ 7.3A, 4.5V1.5V @ 250μA1645pF @ 10V20nC @ 4.5V29ns20V±12V74 ns7.3A12V-20V24A-20V-1.1 V750μm2mm2mm无SVHCROHS3 Compliant无铅------
- MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFETACTIVE (Last Updated: 4 days ago)16 Weeks表面贴装表面贴装6-VDFN Exposed Pad630mgSILICON7.8A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e4yes活跃1 (Unlimited)6-EAR9930MOhm--DUAL-----Single增强型MOSFET2.4W7 nsP-Channel30m Ω @ 7.8A, 4.5V1.5V @ 250μA1480pF @ 10V27nC @ 4.5V9ns20V±8V64 ns-7.8A8V-20V24A--700 mV750μm2mm2mm无SVHCROHS3 Compliant无铅Gold2009DRAINSWITCHING-700mV无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7401TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC | 对比 |



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