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首页 全部分类 FDMC6890NZ vs IRF7307TRPBF

FDMC6890NZ备选型号: IRF7307TRPBF

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  • 上升时间
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电阻
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDMC6890NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    165.33333mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    20V
    1.92W
    4A
    Dual
    增强型MOSFET
    1.92W
    4 ns
    1.92W 1.78W
    2 N-Channel (Dual)
    68m Ω @ 4A, 4.5V
    2V @ 250μA
    270pF @ 10V
    3.4nC @ 4.5V
    12ns
    12 ns
    4A
    12V
    4A
    0.15Ohm
    20V
    10A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    750μm
    3mm
    3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7307TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    5.2A 4.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    2W
    5.2A
    -
    增强型MOSFET
    2W
    -
    -
    N and P-Channel
    50m Ω @ 2.6A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    660pF @ 15V
    20nC @ 4.5V
    26ns
    33 ns
    5.2A
    12V
    -
    -
    20V
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1997
    50mOhm
    超低电阻
    DUAL
    鸥翼
    IRF7307PBF
    SWITCHING
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    700mV
    700 mV
    无SVHC
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IRF7301TRPBF IRF7301TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC 对比