FDMC7664备选型号: FDMS7670
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 已出版
- 电阻
- JEDEC-95代码
- 无铅
- MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrenchACTIVE (Last Updated: 6 days ago)23 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8165.33333mgSILICON18.8A Ta 24A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e4yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)ULTRA-LOW RESISTANCEDUALS-PDSO-N5Single增强型MOSFET2.3WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING4.2m Ω @ 18.8A, 10V3V @ 250μA4865pF @ 15V76nC @ 10V7ns±20V6 ns24A1.9V20V0.0042Ohm30V60A1.9 V750μm3.3mm3.3mm无SVHC无ROHS3 Compliant----
- MOSFET N-CH 30V 21A POWER56ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mgSILICON21A Ta 42A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)-DUALR-PDSO-N5Single增强型MOSFET2.5WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING3.8m Ω @ 21A, 10V3V @ 250μA4105pF @ 15V56nC @ 10V6ns±20V5 ns21A1.9V16V-30V-1.9 V1.05mm5mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant20063.8MOhmMO-240AA无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS6699S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R | 对比 | |
![]() | IRF7832TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC | 对比 |




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