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首页 全部分类 FDMC8032L vs IRFHS8342TRPBF

FDMC8032L备选型号: IRFHS8342TRPBF

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 通道数量
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 端子位置
  • 配置
  • 功率耗散
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDMC8032L
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP
    ACTIVE (Last Updated: 3 hours ago)
    11 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    196mg
    SILICON
    7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    12W
    无铅
    未说明
    未说明
    S-PDSO-N4
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5.5 ns
    1.9W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    20m Ω @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    720pF @ 20V
    11nC @ 10V
    1.2ns
    1.3 ns
    20A
    20V
    7A
    40V
    50A
    13 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    750μm
    3mm
    3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHS8342TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRFHS8342TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 VNew
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerVDFN
    6
    -
    SILICON
    8.8A Ta 19A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5.9 ns
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    16m Ω @ 8.5A, 10V
    2.35V @ 25μA
    600pF @ 25V
    8.7nC @ 10V
    15ns
    5 ns
    8.8A
    20V
    8.5A
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16MOhm
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    2.1W
    ±20V
    1.8V
    1.8 V
    无SVHC
    无
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