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FDMC8097AC备选型号: FDMC86261P
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- 包装
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- JESD-609代码
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 终止次数
- 端子位置
- JESD-30代码
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N/P-CH 150VACTIVE (Last Updated: 1 week ago)10 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8196mg2.4A Ta 900mA Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e4yes活跃1 (Unlimited)EAR99Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)1.9W260未说明DualN and P-Channel155m Ω @ 2.4A, 10V4V @ 250μA395pF @ 75V6.2nC @ 10V150VN-CHANNEL AND P-CHANNEL2.4A6.3AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant----------------------
MOSFET PT5 150V/25V PchPower Trench MosfetACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerWDFN8165.33333mg2.7A Ta 9A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e4yes活跃1 (Unlimited)EAR99----SingleP-Channel160m Ω @ 2.4A, 10V4V @ 250μA1360pF @ 75V24nC @ 10V150V-2.7A9A--ROHS3 CompliantGoldSILICON20175DUALS-PDSO-N51增强型MOSFET2.3WDRAIN11 nsSWITCHING10ns±25V20 ns25V-150V20A725μm3.3mm3.3mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFL4315TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223 | 对比 |
 | FDC86244 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | 对比 |
 | FDT86244 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223 | 对比 |
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