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首页 全部分类 FDMC86320 vs IRF6645TRPBF

FDMC86320备选型号: IRF6645TRPBF

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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 配置
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    FDMC86320
    ON Semiconductor
    N-Channel Power Trench® MOSFET 80V, 22A, 11.7mO
    ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    165.33333mg
    SILICON
    10.7A Ta 22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2010
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    DUAL
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    40W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11.7m Ω @ 10.7A, 10V
    4.5V @ 250μA
    2640pF @ 40V
    41nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    5 ns
    22A
    20V
    80V
    50A
    60 mJ
    750μm
    3.3mm
    3.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6645TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SJ
    7
    -
    SILICON
    5.7A Ta 25A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    e1
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    BOTTOM
    R-XBCC-N3
    -
    增强型MOSFET
    42W
    DRAIN
    9.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 5.7A, 10V
    4.9V @ 50μA
    890pF @ 25V
    20nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    5.1 ns
    5.7mA
    20V
    100V
    45A
    29 mJ
    410μm
    3.95mm
    3.95mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    100V
    5.7A
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    0.035Ohm
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