FDMD8260LET60备选型号: BSC042NE7NS3GATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 60V 15A
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    12-PowerWDFN
    12
    82.3188mg
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    1.1W
    260
    not_compliant
    未说明
    Dual
    2 N-Channel (Dual)
    5.8m Ω @ 15A, 10V
    3V @ 250μA
    5245pF @ 30V
    68nC @ 10V
    60V
    15A
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 75V 19A 8-Pin TDSON T/R
    -
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    4.2m Ω @ 50A, 10V
    -
    4800pF @ 37.5V
    69nC @ 10V
    -
    19A
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    19A Ta 100A Tc
    3.8V @ 91μA
    2011
    5
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    14 ns
    SWITCHING
    无卤素
    17ns
    ±20V
    9 ns
    20V
    75V
    0.0042Ohm
    400A
    220 mJ
    not_compliant
    含铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
NTMFS5C646NLT1G NTMFS5C646NLT1G ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 8-PowerTDFN ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C646NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 19 A, 60 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V 对比
FDS86540 FDS86540 ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) ON SEMICONDUCTOR - FDS86540 - MOSFET, N-CH, 60V, 8SOIC 对比