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首页 全部分类 FDME820NZT vs FDZ2553NZ

FDME820NZT备选型号: FDZ2553NZ

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  • 工厂交货时间
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 场效应管特性
  • ON Semiconductor
    FDME820NZT
    ON Semiconductor
    MOSFET N-channel PowerTrench MOSFET
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerUFDFN
    6
    30mg
    SILICON
    9A Ta
    1V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    S-PDSO-N3
    Single
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    18m Ω @ 9A, 4.5V
    865pF @ 10V
    8.5nC @ 4.5V
    5ns
    ±12V
    5 ns
    9A
    12V
    9A
    20V
    500μm
    1.6mm
    1.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDZ2553NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA
    -
    表面贴装
    表面贴装
    18-WFBGA
    18
    -
    -
    26 ns
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.1W
    -
    10 ns
    2 N-Channel (Dual)
    -
    14m Ω @ 9.6A, 4.5V
    1240pF @ 10V
    18nC @ 5V
    14ns
    -
    11 ns
    9.6A
    12V
    -
    20V
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    2003
    20V
    2.1W
    9.6A
    1.5V @ 250μA
    逻辑电平门
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