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FDMS015N04B备选型号: IRFH7004TRPBF
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- DS 击穿电压-最小值
- 栅源电压
- 达到SVHC
MOSFET NCh40V100A,1.5m ohms PowerTrench MOSFETACTIVE (Last Updated: 2 days ago)4 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN868.1mgSILICON31.3A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET104WDRAIN34 nsN-ChannelSWITCHING1.5m Ω @ 50A, 10V4V @ 250μA8725pF @ 20V118nC @ 10V24ns±20V26 ns100AMO-240AA20V40V400A526 mJ1.05mm5mm6mm无ROHS3 Compliant无铅------
MOSFET N CH 40V 100A PQFN 5X6-12 Weeks表面贴装表面贴装8-VQFN Exposed Pad5-SILICON100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™--活跃1 (Unlimited)5EAR99-DUAL--Single增强型MOSFET156WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING1.4m Ω @ 100A, 10V3.9V @ 150μA6419pF @ 25V194nC @ 10V51ns±20V49 ns100A-20V---850μm6mm5mm无ROHS3 Compliant无铅201240V3V40V3 V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB9406-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB | 对比 |
 | IRF7946TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MX | MOSFET N CH 40V 90A DIRECTFET MX | 对比 |
 | IPB120N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 | 对比 |
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