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首页 全部分类 FDMS0310AS vs NVTFS4C06NTAG

FDMS0310AS备选型号: NVTFS4C06NTAG

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  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 参考标准
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS0310AS
    ON Semiconductor
    MOSFET Gaming/DT/Notebook/NVDC/Server
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    74mg
    SILICON
    19A Ta 22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.3m Ω @ 19A, 10V
    3V @ 1mA
    2280pF @ 15V
    37nC @ 10V
    3.9ns
    ±20V
    3.2 ns
    22A
    MO-240AA
    20V
    19A
    0.0043Ohm
    30V
    100A
    33 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVTFS4C06NTAG
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    -
    SILICON
    21A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    -
    not_compliant
    -
    S-PDSO-F5
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    -
    4.2m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    1683pF @ 15V
    26nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    21A
    -
    20V
    71A
    0.0061Ohm
    -
    367A
    34 mJ
    ROHS3 Compliant
    2014
    AEC-Q101
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    30V
    30V
    无铅
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