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首页 全部分类 FDMS3600AS vs FDD8770

FDMS3600AS备选型号: FDD8770

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • RoHS状态
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS3600AS
    ON Semiconductor
    MOSFET iFET - Smart Harvest
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    SILICON
    15A 30A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    2.5W
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-N6
    2
    增强型MOSFET
    排水源头
    13 ns
    2.2W 2.5W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    5.6m Ω @ 15A, 10V
    2.7V @ 250μA
    1770pF @ 13V
    27nC @ 10V
    5.3ns
    25V
    3.9 ns
    30A
    20V
    15A
    0.0056Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    90 pF
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8770
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    260.37mg
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 35A, 10V
    2.5V @ 250μA
    3720pF @ 13V
    73nC @ 10V
    12ns
    -
    25 ns
    35A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    4MOhm
    25V
    35A
    Single
    115W
    ±20V
    1.6V
    TO-252AA
    25V
    407A
    1.6 V
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
    无SVHC
    无
    无铅
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FDMS3602AS FDMS3602AS ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-PowerTDFN MOSFET 对比