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首页 全部分类 FDMS3606AS vs NTD70N03RT4G

FDMS3606AS备选型号: NTD70N03RT4G

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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
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  • 已出版
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  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
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  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • Vgs（最大值）
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS3606AS
    ON Semiconductor
    DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH POWER STAGE, 30V, 40A, POWER56 - More Details
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    SILICON
    13A 27A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    7
    EAR99
    Tin (Sn)
    1W
    QUAD
    R-PQFP-N7
    Dual
    增强型MOSFET
    2.5W
    排水源头
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    8m Ω @ 13A, 10V
    2.7V @ 250μA
    1695pF @ 15V
    29nC @ 10V
    5.5ns
    3.4 ns
    27A
    2V
    20V
    1.3A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    75 pF
    1.05mm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD70N03RT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 10A DPAK
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    -
    SILICON
    10A Ta 32A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    1.87W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1333pF @ 20V
    13.2nC @ 5V
    1.3ns
    1.3 ns
    75A
    1.5V
    20V
    32A
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Unknown
    -
    符合RoHS标准
    2008
    5.6MOhm
    25V
    鸥翼
    未说明
    70A
    未说明
    4
    不合格
    ±20V
    71.7 mJ
    无铅
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