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首页 全部分类 FDMS3660AS vs FDMS3686S

FDMS3660AS备选型号: FDMS3686S

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDMS3660AS
    ON Semiconductor
    MOSFET COMPUTING MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    171mg
    SILICON
    13A 30A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    2.5W
    FLAT
    R-PDSO-F6
    SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    排水源头
    1W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    8m Ω @ 13A, 10V
    2.7V @ 250μA
    2230pF @ 15V
    30nC @ 10V
    5ns
    5 ns
    30A
    MO-240AA
    20V
    13A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    70 pF
    1.1mm
    5mm
    5.9mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS3686S
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V Asymmetric 2xNCh PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    SILICON
    13A 23A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    1W
    -
    R-PDSO-N6
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    排水源头
    -
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    8m Ω @ 13A, 10V
    2.7V @ 250μA
    1785pF @ 10V
    29nC @ 10V
    -
    -
    23A
    -
    20V
    13A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    1.05mm
    5.1mm
    6.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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