您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDMS3660S vs NTD70N03RT4G

FDMS3660S备选型号: NTD70N03RT4G

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    FDMS3660S
    ON Semiconductor
    MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    171mg
    SILICON
    30A 60A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    2.5W
    FLAT
    FDMS3660S
    R-PDSO-F6
    Dual
    增强型MOSFET
    2.5W
    排水源头
    7.7 ns
    1W
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    SWITCHING
    8m Ω @ 13A, 10V
    2.7V @ 250μA
    1765pF @ 15V
    29nC @ 10V
    30A
    1.5V
    12V
    13A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5 V
    70 pF
    1.1mm
    5mm
    5.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD70N03RT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 10A DPAK
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    -
    SILICON
    10A Ta 32A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    1.87W
    DRAIN
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1333pF @ 20V
    13.2nC @ 5V
    75A
    1.5V
    20V
    32A
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Unknown
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    5.6MOhm
    Tin (Sn)
    25V
    未说明
    70A
    未说明
    4
    不合格
    1.3ns
    ±20V
    1.3 ns
    71.7 mJ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFH7914TRPBF IRFH7914TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 15A PQFN 对比