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FDMS3669S备选型号: FDD8876
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- Vgs（最大值）
- JEDEC-95代码
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSF N CH DL 30V 24A, 60A PWR56ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)13 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8171mgSILICON13A 18A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2009e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)2.5WFLATR-PDSO-F6增强型MOSFET排水源头1W2 N-Channel (Dual) AsymmetricalSWITCHING10m Ω @ 13A, 10V2.7V @ 250μA1605pF @ 15V24nC @ 10V3ns3 ns60A20V13A0.01Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门55 pF1.1mm5mm5.9mm无ROHS3 Compliant---------
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/RACTIVE (Last Updated: 1 week ago)10 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633260.37mgSILICON15A Ta 73A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®-e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)-鸥翼R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAIN-N-ChannelSWITCHING8.2m Ω @ 35A, 10V2.5V @ 250μA1700pF @ 15V47nC @ 10V91ns37 ns73A20V--30V------无ROHS3 Compliant30V73ASingle70W8 ns±20VTO-252AA95 mJ无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB8876 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK | 对比 |
| IRFR3707PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK | 对比 |
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