FDMS7556S备选型号: IRFH4210DTRPBF
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 电阻
- MOSFET N-CH 25V 35A POWER56ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)10 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN890mgSILICON35A Ta 49A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®, SyncFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET96WDRAIN20 nsN-ChannelSWITCHING1.2m Ω @ 35A, 10V3V @ 1mA8965pF @ 13V133nC @ 10V9ns25V±20V5.3 ns49A1.6VMO-240AA20V35A200A25V1.6 V1.05mm5mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--
- MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN--表面贴装表面贴装8-PowerTDFN5--44A Ta-55°C~150°C TJDigi-Reel®HEXFET®--Discontinued1 (Unlimited)-EAR99----Single-3.5W-19 nsN-Channel-1.1m Ω @ 50A, 10V2.1V @ 100μA4812pF @ 13V77nC @ 10V45ns25V±20V16 ns44A1.6V-20V----900μm6mm5mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅20131.1MOhm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFH4201TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN | 对比 |
![]() | FDD8770 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 35A DPAK | 对比 |
| FDMS2504SDC | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 42A POWER56 | 对比 |





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