FDMS7600AS备选型号: STS26N3LLH6

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电阻
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • Vgs(最大值)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • ON Semiconductor
    MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    211mg
    SILICON
    12A 22A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    1W
    FLAT
    R-PDSO-F6
    增强型MOSFET
    1W
    SOURCE
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    7.5m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    1750pF @ 15V
    28nC @ 10V
    7.6ns
    5.2 ns
    40A
    1V
    20V
    0.0075Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1 V
    700μm
    5mm
    6mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    26A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    增强型MOSFET
    2.7W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    4.4m Ω @ 13A, 10V
    1V @ 250μA
    4040pF @ 25V
    40nC @ 4.5V
    18ns
    46 ns
    26A
    1V
    20V
    -
    30V
    -
    -
    1 V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    4.4mOhm
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    DUAL
    STS26
    8
    Single
    17 ns
    ±20V
    525 mJ
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