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首页 全部分类 FDMS8560S vs FDMS7560S

FDMS8560S备选型号: FDMS7560S

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  • 终端形式
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    FDMS8560S
    ON Semiconductor
    MOSFET 25/12V Dual Cool PowerTrench MOSFET
    LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    SILICON
    30A Ta 70A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    e3
    yes
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.8m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 1mA
    4350pF @ 13V
    68nC @ 10V
    6ns
    ±12V
    5 ns
    35A
    MO-240AA
    12V
    70A
    25V
    79 mJ
    1.05mm
    5.1mm
    5.85mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7560S
    ON Semiconductor
    MOSFET, N CH, 25V, 49A, POWER 56 - More Details
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    90mg
    SILICON
    30A Ta 49A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.45m Ω @ 30A, 10V
    3V @ 1mA
    5945pF @ 13V
    93nC @ 10V
    7.4ns
    ±20V
    4.8 ns
    30A
    MO-240AA
    20V
    -
    25V
    220 mJ
    1.05mm
    5.1mm
    6.25mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    10 Weeks
    1.7V
    1.7 V
    无SVHC
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