FDMS8570SDC备选型号: IRFH7934TR2PBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 恢复时间
- 漏源电阻
- 最大rds
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8570SDC MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 25 V, 0.0021 ohm, 10 V, 1.5 VLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装8-PowerTDFN890mgSILICON28A Ta 60A Tc-55°C~150°C TJDigi-Reel®PowerTrench®, SyncFET™2017e3yesObsolete1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLATR-PDSO-F5Single增强型MOSFET59WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING2.8m Ω @ 28A, 10V2.2V @ 1mA2825pF @ 13V42nC @ 10V4ns±12V3 ns60A1.5VMO-240AA12V25V100A45 mJSchottky Diode (Body)无SVHC无符合RoHS标准---------------
- MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8--24A Ta 76A Tc-Cut Tape (CT)HEXFET®2009--Obsolete2 (1 Year)------Single-3.1W-12 nsN-Channel-3.5mOhm @ 24A, 10V2.35V @ 50μA3100pF @ 15V30nC @ 4.5V16ns-7.5 ns24A1.8V-20V30V---无SVHC无符合RoHS标准8-PQFN (5x6)3.5MOhm150°C-55°C3.1W30V3.1nF30 ns3.5mOhm3.5 mΩ1.8 V1.1684mm5.2324mm6.1468mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS8023S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | 对比 | |
| FDMS8025S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V POWER56 | 对比 | |
| PHD108NQ03LT,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 75A DPAK | 对比 |



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